當(dāng)前我國先進(jìn)的集成電路量產(chǎn)工藝已經(jīng)進(jìn)入到14nm，以EUV光刻機為代表的工藝制造設(shè)備價格非常昂貴，高校很難采購這類設(shè)備用于教學(xué)，同時，新手操作容易損壞，又有一定的危險性，使得高校集成電路工藝教育與真實工藝線人才需求脫節(jié)。為此，我們研發(fā)了14nm集成電路工藝套件。
該套件包含如下內(nèi)容
1. 完整的14nm工藝線虛擬制造設(shè)備操作：氧化爐、CVD設(shè)備、PVD設(shè)備、刻蝕機、離子注入機、退火設(shè)備、外延設(shè)備。
2. 完整的14nm工藝線虛擬制造步驟及晶圓微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學(xué)特性等：氧化、淀積、光刻、刻蝕、離子注入、擴散、退火、外延。
3. 完成的14nm工藝線典型器件制造步驟及器件微觀結(jié)構(gòu)、參數(shù)特性、電學(xué)特性等：14nm FinFET；GaAs；LDMOS；MOSFET；BJT；DIODE；RESISTOR。
4. 完整支持半導(dǎo)體工藝實驗課的軟硬件設(shè)施和全套實驗教材。
5. 支持課程：工業(yè)級半導(dǎo)體工藝實驗。
課程大綱/36學(xué)時
| 1：干氧氧化工藝實驗 | 2：濕氧氧化工藝實驗 |
| 3：離子注入的深度與能量關(guān)系實驗 | 4：離子注入的劑量與摻雜濃度關(guān)系實驗 |
| 5：離子注入的角度影響實驗 | 6：擴散工藝時間對摻雜濃度的影響實驗 |
| 7：擴散工藝溫度對摻雜濃度的影響實驗 | 8：二極管制造實驗 |
| 9：集成電路電阻制造實驗 | 10：MOSFET制造實驗 |
| 11：變?nèi)莨苤圃鞂嶒?/td> | 12：SOI制造實驗 |
| 13：FinFET制造實驗 | 14：三極管制造實驗 |
| 15：LDMOS制造實驗 | 16：JFET制造實驗 |
| 17：GaAs制造實驗 |
|
